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[实用新型]半导体装置-CN202221717628.X有效
发明人：游国丰;陈建豪;许智育;李致葳;陈健源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本实用新型提出一种半导体装置。半导体装置与相关方法可用于形成栅极结构。半导体装置包括鳍状物自基板延伸。鳍状物包括多个半导体通道层。半导体装置还包括栅极介电层，围绕每一半导体通道层。半导体通道层的最顶部的半导体通道层的上表面上的栅极介电层的第一厚度，大于最顶部的半导体通道层之下的另一半导体通道层的表面上的栅极介电层的第二厚度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210313541.4在审
发明人：詹易叡;潘冠廷;朱熙甯;江国诚;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括基板、第一半导体通道、第二半导体通道、隔离部件、第一衬层及第二衬层。第一半导体通道在基板上方。第二半导体通道在基板上方，且与第一半导体通道横向地偏移。隔离部件嵌入在基板中，且横向地介于第一半导体通道及第二半导体通道之间。第一衬层横向地环绕隔离部件，且介于隔离部件及第一半导体通道之间。第二衬层横向地环绕第一衬层，且介于第一衬层及第一半导体通道之间。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN202011384166.X在审
发明人：杨柏宇 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其制作方法，其中该半导体装置包括基底、半导体通道层、半导体阻障层、栅极电极、第一电极、及介电层。半导体通道层被设置于基底之上，半导体阻障层被设置于半导体通道层之上。栅极电极被设置于半导体阻障层之上。第一电极被设置于栅极电极的一侧，其中第一电极包括主体部及垂直延伸部，主体部电连接于半导体阻障层，且垂直延伸部的底面低于半导体通道层的顶面。介电层被设置于垂直延伸部及半导体通道层之间。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]半导体装置-CN202110034669.2在审
发明人：杨柏宇 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置，包括基底、半导体通道层、半导体阻障层、及栅极电极。半导体通道层设置于基底之上，半导体阻障层设置于半导体通道层之上，其中半导体阻障层的表面包括至少一凹槽。栅极电极设置于半导体阻障层之上，其中栅极电极包括主体部及重叠凹槽的至少一垂直延伸部。
半导体装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201510103481.3在审
发明人：郑淳护 -专利权人：郑淳护
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管包含一基板、一双通道半导体层、一半导体保护层、一闸极、一闸极介电层、一源极、及一汲极。该双通道半导体层包含一第一半导体层及一第二半导体层。第一半导体层由一金属氧化物半导体材料所制成，并形成于基板的上方。第二半导体层由该金属氧化物半导体材料掺杂一吸氧金属所制成，并形成于第一半导体层上。半导体保护层形成于第二半导体层上。闸极介电层形成于闸极与双通道半导体层之间。源极及汲极邻近双通道半导体层，形成而位于基板上方，并与双通道半导体层电连接。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]存储器结构及其制造方法-CN201610882995.8有效
发明人：胡志玮;叶腾豪 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：存储器区段各包括存储器阵列区、存储器选择区、半导体栅电极、半导体通道、栅介电层、栅电极层与通道层。存储器选择区邻近存储器阵列区。半导体通道连接半导体栅电极。栅电极层与半导体通道位于存储器选择区中。栅电极层通过栅介电层分开自半导体通道。通道层与半导体栅电极位于存储器阵列区中。通道层通过栅介电层分开自半导体栅电极。
半导体通道栅电极存储器阵列区存储器选择半导体栅电极层栅介电层通道层存储器结构存储器区段邻近制造

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制作方法-CN202011299296.3在审
发明人：杨柏宇 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及半导体装置的制作方法，其中该半导体装置包括基底、半导体通道层、半导体阻障层、栅极盖层、介电层、及栅极电极。半导体通道层设置于基底之上，半导体阻障层设置于半导体通道层之上。栅极盖层设置于半导体阻障层之上，介电层顺向性的覆盖住栅极盖层且围绕栅极盖层的周边。栅极电极设置于介电层之上，且覆盖栅极盖层的至少一侧壁。
半导体装置制作方法

[发明专利]双通道LTPS薄膜晶体管-CN201910532402.9在审
发明人：曹尚操;刘汉龙;李长晔 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种双通道LTPS薄膜晶体管，包括第一SD电极、第二SD电极、第一半导体通道层、第二半导体通道层；所述第一SD电极通过第一半导体通道层与第二SD电极导通，所述第一SD电极还通过第二半导体通道层与第二SD电极导通，第一SD电极与第二SD电极不接触，第一半导体通道层与第二半导体通道层不接触，在薄膜晶体管的至少一个截平面中，第一SD电极、第二SD电极、第一半导体通道层、第二半导体通道层将层间介质层包围在其中上述技术方案通过设计双通路的半导体通道层，不仅保证了薄膜晶体管的使用安全性，更有效地提高了氧化物薄膜晶体管的电子迁移效率，提高了半导体薄膜晶体管的开态电流。
半导体通道层电极薄膜晶体管不接触双通道导通半导体薄膜晶体管氧化物薄膜晶体管层间介质层使用安全性电子迁移开态电流截平面双通路有效地包围保证

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202110777160.7在审
发明人：肖德元 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：半导体基底，半导体基底包括逻辑器件区以及存储器区；位线以及与位线同层设置的电接触层，位线位于存储器区内，电接触层位于逻辑器件区内；第一半导体通道，位于位线表面；第二半导体通道，第二半导体通道与第一半导体通道同层设置，且位于电接触层表面；字线以及与字线同层设置的栅极；电容结构，与第一半导体通道的第二掺杂区相接触；电连接结构，与第二半导体通道的第四掺杂区相接触；介质层，位于位线与字线之间，且还位于字线远离半导体基底的一侧。本发明实施例有利于在半导体结构内实现存内计算，以提高半导体结构的工作效率和降低半导体结构的工作能耗。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]晶体管结构及其制备方法-CN202210355583.4在审
发明人：卢超群 -专利权人：发明与合作实验室有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体管结构，包括半导体基材、通道层、栅极结构以及第一导电区。半导体基材包括一个半导体表面。通道层独立于半导体基材之外，并覆盖此半导体表面。栅极结构覆盖通道层。第一导电区耦接通道层。
晶体管结构及其制备方法

[实用新型]晶体管-CN202220953315.8有效
发明人：陈政广;丁肇诚 -专利权人：睿绪应用材料股份有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种晶体管，包括基板、通道、栅极介电层、栅极、源极及漏极。通道形成于基板表面，并具有缓冲层、形成于缓冲层上的第一半导体层及形成于第一半导体层上的第二半导体层，第一半导体层表面具有多个微孔穴，第二半导体层填补所述微孔穴。栅极介电层形成于第二半导体层上；栅极形成于栅极介电层上；源极形成于通道的一侧并连接通道；漏极形成于相反于通道的该侧的另一侧并连接通道。第二半导体层能填补第一半导体层表面因外延生长所致的微孔穴，从而改善漏电流问题。
晶体管

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202111243328.2在审
发明人：张世明;文浚硕;肖德元;金若兰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：包括间隔排布的位线和半导体通道的基底，位线沿第一方向延伸，半导体通道位于位线的部分顶面，且在垂直于位线顶面的方向上，半导体通道包括依次排列的第一区、第二区和第三区；介质层，位于相邻位线之间且位于半导体通道侧壁；栅极，环绕第二区的介质层且沿第二方向延伸，第一方向与第二方向不同；金属半导体化合物层，位于半导体通道顶面；扩散阻挡层，至少环绕金属半导体化合物层侧壁；绝缘层，位于同一位线上的相邻半导体通道之间且隔离位于相邻介质层上的栅极和扩散阻挡层。本申请实施例至少可以提高半导体结构的电学性能。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种紫外发光二极管结构-CN202210469525.4在审
发明人：阚钦 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种紫外发光二极管结构，该紫外发光二极管结构，包括：衬底和依次设置于衬底上的n型半导体层、发光活性层和p型半导体层；通道依次贯穿所述p型半导体层、发光活性层和部分所述n型半导体层；所述N电极设置于所述通道内，且所述N电极与所述n型半导体层多面连接。本申请中，所述通道依次贯穿所述p型半导体层、发光活性层和部分所述n型半导体层；所述N电极设置于所述通道内，且所述N电极与所述n型半导体层多面连接，由于N电极能够通过通道与n型半导体层接触，增加了N电极的接触面积，且无需减少大量的发光活性层的面积，能够保证亮度。
一种紫外发光二极管结构

[发明专利]半导体装置-CN202110378362.4在审
发明人：黄柏瑜;姚佳贤;杨复凯;王美匀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种半导体装置与其形成方法。示例性的半导体装置包括介电层，形成于电源轨上；底部半导体层，形成于介电层上；背侧间隔物，沿着底部半导体层的侧壁；导电结构，接触介电层的侧壁与背侧间隔物的侧壁；多个通道半导体层，位于底部半导体层上，其中通道半导体层向上堆叠并彼此分开；金属栅极结构，包覆每一通道半导体层；以及外延的源极/漏极结构，接触每一通道半导体层的侧壁，其中外延的源极/漏极结构接触导电结构，且导电结构接触电源轨。
半导体装置

[发明专利]半导体结构-CN201410110738.3有效
发明人：陈蔚宗;蔡娟娟;辛哲宏;蔡学宏;杨智翔 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体结构，包括顶栅极、氧化物半导体通道层、第一介电层、第二介电层以及源极与漏极。氧化物半导体通道层配置于顶栅极与基板之间。第一介电层配置于顶栅极与氧化物半导体通道层之间。第二介电层配置于第一介电层与氧化物半导体通道层之间。源极与漏极配置于氧化物半导体通道层的相对两侧，且位于第一介电层与基板之间。氧化物半导体通道层的一部分暴露于源极与漏极之间。部分第一介电层及部分第二介电层直接接触且完全覆盖氧化物半导体通道层的部分。
半导体结构

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